感應(yīng)加熱技術(shù)的發(fā)展史

感應(yīng)加熱設(shè)備利用的是電磁感應(yīng)原理即在感應(yīng)線圈中通過(guò)交替變化的電流產(chǎn)生交替變化的磁場(chǎng),使處于感應(yīng)線圈內(nèi)的工件因切割交變的磁場(chǎng)產(chǎn)生感應(yīng)電流(禍流),利用感應(yīng)電流通過(guò)工件產(chǎn)生的熱效應(yīng)來(lái)達(dá)到加熱的目的。所以一個(gè)完整的感應(yīng)加熱系統(tǒng)應(yīng)包括交流電源、感應(yīng)線圈和加熱工件三部分,交流電源的作用是向感應(yīng)線圈提供適當(dāng)大小和頻率的交變電流,使感應(yīng)線圈和工件之間產(chǎn)生相互作用,進(jìn)而達(dá)到加熱的目的。

感應(yīng)加熱設(shè)備的理論基礎(chǔ)是法拉第提出的電磁感應(yīng)定律,在19世紀(jì)初期人們視電磁感應(yīng)現(xiàn)象為損耗,并且千方百計(jì)的抑制這種發(fā)熱現(xiàn)象,用以保護(hù)電氣設(shè)備和提高效率。直到19世紀(jì)末20世紀(jì)初,開(kāi)槽式有芯爐和閉槽式有芯爐的產(chǎn)生,才標(biāo)志著感應(yīng)加熱技術(shù)進(jìn)入實(shí)用化階段。20世紀(jì)中期電子技術(shù)的快速發(fā)展,加快了感應(yīng)加熱技術(shù)的發(fā)展。大量的新型器件被運(yùn)用于感應(yīng)加熱場(chǎng)合,目前常采用的電力電子器件有IGBT和MOSFET,其中MOSFET適用于lOkW以下的功率場(chǎng)合,lOkW以上的功率場(chǎng)合大多數(shù)釆用IGBT。

在世界各國(guó)的努力下,感應(yīng)加熱設(shè)備由最初的工頻,逐步走向中頻、超音頻和高頻大功率場(chǎng)合。由于技術(shù)和資金上的極大優(yōu)勢(shì),歐美各國(guó)以及日本的感應(yīng)加熱技術(shù)代表了當(dāng)今世界感應(yīng)加熱的最高水平。目前,國(guó)外采用IGBT和MOSFET管可將感應(yīng)加熱裝置做到功率達(dá)兆瓦級(jí)別,頻率超過(guò)幾千赫茲。相比國(guó)外,我國(guó)的感應(yīng)加熱技術(shù)要落后很多,我國(guó)感應(yīng)加熱技術(shù)的應(yīng)用開(kāi)始于1956年,從前蘇聯(lián)引進(jìn),主要應(yīng)用于汽車(chē)工業(yè)。